梦里寻她她似雾的个人资料 - RAT

梦里寻她她似雾梦里寻她她似雾

关注数: 46 粉丝数: 98 发帖数: 1,973 关注贴吧数: 16

碳化硅肖特基二极管的设计与优化-国晶微半导体碳化硅（SiC）由于具有宽频带隙和高导热系数等固有的材料特性，在中高压功率半导体器件制造中得到了广泛的应用。肖特基二极管、mosfet和jfet是目前市场上最流行的SiC功率器件。特别是SiC肖特基二极管已经成功应用于电力领域近20年。最早的SiC肖特基二极管采用纯肖特基势垒二极管（SBD）结构。后来，这种结构演变成一种称为结势垒肖特基（JBS）的低反向漏电流结构。最新的结构被称为合并PN肖特基（MPS）表现出大量增加浪涌电流处理能力。　　我们拥有超过近20年的历史，在电力半导体器件设计方面有着丰富的经验。设计过程包括基于客户需求设定设计目标、使用EDA工具进行器件和工艺模拟、掩模设计和工艺设计、铸造制造、装配和可靠性测试。经过多轮的试验、优化、寿命试验和应用试验，得到了设计优化的合格产品。　　为了追求最佳的器件性能，所有的SiC（碳化硅肖特基二极管）都采用了一种合并的PN肖特基（MPS）结构。在高正向电流密度下，PN结将开始在二极管的漂移区注入少数载流子（电导调制），并接管肖特基结的电流传导。因此，在高电流密度下，MPS将比传统JBS结构具有更低的正向电压降。这使得MPS装置能够承受更高的浪涌电流。然而，增大PN面积会导致肖特基面积减小。这导致在双极结构尚未运行时，在标称正向电流下“导通电阻”增加。因此，在标称正向传导能力和浪涌电流处理能力之间存在权衡。通过精心设计的P+岛和独特的欧姆接触工艺，实现了对有效肖特基面积没有显著影响的有效浪涌电流传导路径。这使得肖特基二极管在不损失标称电流传导能力的情况下具有优越的浪涌电流处理能力。　　一种适于生产功率器件的SiC晶片由两层组成：厚衬底层和生长在其上的薄外延层。厚实的衬底使大尺寸SiC晶圆在半导体加工、搬运和运输过程中具有所需的机械稳定性。然而，基板的电功能是最小的。二极管阻断高反向电压的功能被外延层覆盖，只有在正向操作中，衬底才起到电流传导通路的作用。不幸的是，电流传导路径起串联电阻的作用。商用碳化硅衬底的掺杂浓度不高，因此串联电阻非常明显，特别是650V碳化硅器件。这会导致意外的功率损失。降低串联电阻和功率损耗的一种方法是在半导体加工完成后使衬底层变薄，即所谓的衬底反研磨。　　碳化硅是一种非常坚硬的材料，它对磨削等机械处理带来了一些挑战：裂纹预防、表面粗糙度和厚度均匀性等等。然而，领先的制造工艺和卓越的质量控制使国晶微半导体能够生产出比市场上标准产品厚度仅为1/3的SiC产品。薄芯片使SiC二极管具有更好的电流传导能力和更低的热阻。　　严格的生产管理和质量控制是保证产品性能稳定的基本要素。为向客户提供最可靠的碳化硅二极管产品，我们建立了全面的质量和可靠性控制体系和程序。所有碳化硅产品必须经过100%静态参数测试、100%浪涌电流处理测试（IFSM）和100%雪崩能力测试（UIS）。产品符合JEDEC标准或更严格的可靠性测试要求；例如，HTRB测试周期从1000小时延长到3000小时。　　无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业，从事碳化硅场效应管，碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务，总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内，并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。　　公司具有国内领先的研发实力，专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力。　　公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性，即使在高温条件下也能体现优异的电气特性，大幅降低开关损耗，使元器件更小型化及轻量化，效能更高效，提高系统整体可靠性，可使电动汽车在续航里程提升10%，整车重量降低5%左右，并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。　　特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm光敏光栅开关PVG芯片技术，并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrmsSOP超小封装及3750kVrms隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装，单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品，另包括200VSOIMOS/LIGBT集成芯片、100VCMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品，均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。　　公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位，并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系，在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术，拥有项国际、国内自主发明专利。经销科锐全系列碳化硅功率管，并代理国晶微半导体SiC碳化硅肖特基 SiC碳化硅MOSFET 完全对标科锐CREE 系列产品联系人：赵工电话：13537821812 VX：18123799957 GC2M0080120D pin to pin 代替 C2M0080120D 常备大量现货 GC3M0065090D pin to pin 代替 GC3M0065090D 常备大量现货 SiC Schottky 碳化硅肖特基 GC6D12065A pin to pin C6D12065A GC5D16065A pin to pin C5D16065A GC6D06065A pin to pin C6D06065A GC3D08065A pin to pin C3D08065A GC6D10065A pin to pin C6D10065A GC3D10065A pin to pin C3D10065A GC3D20065A pin to pin C3D20065A GC3D30065D pin to pin C3D30065D GC6D06120A pin to pin C6D06120A GC4D05120A pin to pin C4D05120A GC4D08120A pin to pin C4D08120A GC4D10120A pin to pin C4D10120A GC4D12120A pin to pin C4D12120A GC6D16120A pin to pin C6D16120A GC6D15120A pin to pin C6D15120A GC4D20120A pin to pin C4D20120A GC4D10120D pin to pin C4D10120D GC4D15120D pin to pin C4D15120D GC4D20120D pin to pin C4D20120D GC4D30120D pin to pin C4D30120D GC6D30130D pin to pin C6D30130D GC4D40120D pin to pin C4D40120D GC3D10170A pin to pin C3D10170A GC3D10170H pin to pin C3D10170H GC3D25170H pin to pin C3D25170H GC3D50170H pin to pin C3D50170H GC5D16170H pin to pin C5D16170H SiC MOSFET 碳化硅MOSFET GC2M0280120D pin to pin C2M0280120D GC2M0160120D pin to pin C2M0160120D GC2M0080120D pin to pin C2M0080120D GC2M0040120D pin to pin C2M0040120D GC2M0025120D pin to pin C2M0025120D GC2M1000170D pin to pin C2M1000170D GC2M0045170D pin to pin C2M0045170D GC3M0065090D pin to pin C3M0065090D GSCT3060AL pin to pin SCT3060AL GSCT2080KE pin to pin SCT2080KE GSCT30N120 pin to pin SCT30N120 GSCT3030AL pin to pin SCT3030AL GC3M0120090D pin to pin C3M0120090D

第三代半导体-SiC碳化硅功率管一、为什么称之为第三代半导体？ 1、重点词吧友们就记住一个关键词——材料，这就是前后三代半导体最大的区别。 2、每一代材料的简述第一代半导体材料：主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。兴起时间：二十世纪五十年代代表材料：硅(Ss)、锗（Ge）元素半导体材料。应用领域：集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业。第二代半导体材料：以砷化镓（GaAs）、锑化铟（lnSb）为代表，是4G时代的大部分通信设备的材料。兴起时间：20世纪九十年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的星期，以砷化镓、锑化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。代表材料：如砷化镓（GaAs)、锑化铟（lnSb）;三元化合物半导体，如AaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体）、如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。应用领域：主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。因信息高速公路和互联网的兴起，还被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。性能升级：以砷化镓为例，相比于第一袋半导体，砷化镓具有高频、抗辐射、耐高温的特性。总结：第二代是使用复合物的，也就是复合半导体材料。我们生活中常用的砷化镓、磷化铟这一类材料，可以用在功放领域，早期它们的速度比较快。但是因为砷含剧毒！所以现在很多地方都禁止使用，砷化镓的应用还只是局限在高速的功放功率领域。而磷化铟则可以用来做发光器件，比如说LED里面都可以用到。第三代半导体材料：以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为四大代表，是5G时代的主要材料。第三代材料目前比较成熟的有碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等，是未来5G时代的标配。第三代半导体材料在航空、航天、光存储等领域有着重要应用前景，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上，是半导体产业进一步跃进的基石。相对于传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍，因此，碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。根据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计将从2018年的5.71亿美元增至8.54亿美元。未来十年的年均两位数增长率，到2029年将超过50亿美元。为什么要发展第三代半导体？摩尔定律在硅时代已接近效能极限，台积电已开始2nm探索性研发，单一增加制程精度的方式不可持续。“摩尔定律”在过去的几十年中是集成电路性能增长的黄金定律。其核心内容：价格维持不变时，集成电路上可容纳的元件数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。根据ITRS的观点，传统的硅晶体管微缩至6纳米已达极限。以硅材料为根基的摩尔定律即将失效。若半导体仍以摩尔定律趋势发展，则需要在底层材料中形成突破。中国发展第三代半导体的意义是什么？中国是全球最大的功率半导体消费市场，未来有望保持高速发展，预计年复合增速达4.8%。从增量来源来看，5G、光伏智能电网、新能源汽车等是主要的增量来源。未来功率半导体将呈现高性能，高增长，高集中度的发展趋势。消费电子中，OPPO、小米等国内主流厂商依次跟进，高功率，小体积成最明显优势；汽车电子化程度上升直接带动汽车产业链价值迁移，国内市场有望超千亿规模。同时，底层材料的重要性不容忽视。第三代半导体有什么长处？浅显来说，第三代半导体资料的功能优势首要包含：大功率抗辐射导电功能强耐高压高温作业速度快且损耗低。我司经销科锐全系列碳化硅功率管，并代理国晶微半导体SiC碳化硅肖特基 SiC碳化硅MOSFET 完全对标科锐CREE 系列产品联系人：赵工电话：13537821812 GC2M0080120D pin to pin 代替 C2M0080120D 常备大量现货 GC3M0065090D pin to pin 代替 GC3M0065090D 常备大量现货 SiC Schottky 碳化硅肖特基 GC6D12065A pin to pin C6D12065A GC5D16065A pin to pin C5D16065A GC6D06065A pin to pin C6D06065A GC3D08065A pin to pin C3D08065A GC6D10065A pin to pin C6D10065A GC3D10065A pin to pin C3D10065A GC3D20065A pin to pin C3D20065A GC3D30065D pin to pin C3D30065D GC6D06120A pin to pin C6D06120A GC4D05120A pin to pin C4D05120A GC4D08120A pin to pin C4D08120A GC4D10120A pin to pin C4D10120A GC4D12120A pin to pin C4D12120A GC6D16120A pin to pin C6D16120A GC6D15120A pin to pin C6D15120A GC4D20120A pin to pin C4D20120A GC4D10120D pin to pin C4D10120D GC4D15120D pin to pin C4D15120D GC4D20120D pin to pin C4D20120D GC4D30120D pin to pin C4D30120D GC6D30130D pin to pin C6D30130D GC4D40120D pin to pin C4D40120D GC3D10170A pin to pin C3D10170A GC3D10170H pin to pin C3D10170H GC3D25170H pin to pin C3D25170H GC3D50170H pin to pin C3D50170H GC5D16170H pin to pin C5D16170H SiC MOSFET 碳化硅MOSFET GC2M0280120D pin to pin C2M0280120D GC2M0160120D pin to pin C2M0160120D GC2M0080120D pin to pin C2M0080120D GC2M0040120D pin to pin C2M0040120D GC2M0025120D pin to pin C2M0025120D GC2M1000170D pin to pin C2M1000170D GC2M0045170D pin to pin C2M0045170D GC3M0065090D pin to pin C3M0065090D GSCT3060AL pin to pin SCT3060AL GSCT2080KE pin to pin SCT2080KE GSCT30N120 pin to pin SCT30N120 GSCT3030AL pin to pin SCT3030AL GC3M0120090D pin to pin C3M0120090D

风云再起巅峰帮派长老偷袭 129被反杀。

1 下一页