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09-13
瑞斯特(RST)推出的BTB08-600TW是一款额定有效值通态电流8A、耐压600V的无缓冲(snubberless)三端双向可控硅,采用符合RoHS规……
🧑RSTTEK001
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09-12
BTA416Y-600C是瑞斯特(RST)面向通用交流开关场景推出的16A等级双向可控硅,采用TO-220A封装并通过RoHS认证。器件通过内置陶瓷衬垫获……
🧑RSTTEK001
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09-12
瑞斯特(RST)推出的BTA316B-600C是一款额定通态电流16A、耐压600V的snubberless结构三端双向可控硅,采用符合RoHS规范的TO……
🧑RSTTEK001
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09-12
瑞斯特(RST)BTA216-600F是一款额定通态电流16A、耐压600V的无缓冲(snubberless)三端双向可控硅,采用符合RoHS规范的TO-……
🧑RSTTEK001
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09-10
瑞斯特(RST)推出的BTA20-600CW是一款面向高占比感性负载场景优化的20A无缓冲三端双向可控硅器件,采用符合RoHS规范的TO-220A全绝缘塑……
🧑RSTTEK001
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09-10
NU403是一款低成本设计,采用SOT23-6 封装,电流范围为0-65MA可调,脚位与NU502相同。针对于对价格敏感的市场。 NU403 是一款由数能……
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09-09
瑞斯特(RST)推出的BTA08-600CW是一款面向感性负载场景优化的8A无缓冲三端双向可控硅器件,采用符合RoHS规范的TO-220A全绝缘塑封封装,……
🧑RSTTEK001
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09-09
瑞斯特(RST)推出的BT145-800R是一款面向大电流冲击负载场景的25A单向可控硅器件,采用符合RoHS规范的TO-220C标准直插封装,具备极强的……
🧑RSTTEK001
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09-08
瑞斯特(RST)推出的ACT108-800E是一款面向通用小功率交流开关场景的1A三端双向可控硅器件,采用符合RoHS规范的TO-92UR直插封装,器件内……
🧑RSTTEK001
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09-08
成都中冷低温研发的小型高低温冲击气流仪 ThermoTST TS110,具有更广泛的温度范围-10°C到 +175°C,提供了非常先进的温度转换测试能力。……
🧑mm23693
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09-08
Chiller:工业冷水机 / 冷却循环机,广泛用于半导体、测试设备、激光器、精密设备温控。服务分为:故障抢修、年度维保、备件更换、整机翻新、校准调试,半……
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09-08
深圳市芯派科技有限公司推出一款 USB 专用充电端口(DCP)控制器、限流和转灯电源开关,主要用在需要给手机、平板等设备快速充电的 USB 端口上。可以实……
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09-07
🧑RSTTEK001
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09-05
概述 VK1668B是一种带键盘扫描接口的数码管或点阵LED驱动控制 专用芯片,内部集成有3线串行接口、数据锁存器、LED 驱 动、键盘扫描等电路。SEG……
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09-04
NU402是一款线性恒流驱动IC,常用于LED照明,可直接替代英飞凌的BCR402,无需更改电路设计。 它由深圳市数能积体电路有限公司推出,输出电流20m……
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09-03
明佳达电子、星际金华(供应 | 回收)MAX33070EASA RS-485收发器、MAX17502GATB同步降压转换器、MAPS-010166数字相移……
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09-02
利用多米诺逻辑,反向特性行波进位,该如何设计一个16位加法器,有大佬能指导一下吗
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09-01
TYN840RG是瑞斯特推出的40A大电流等级单向可控硅器件,采用符合RoHS规范的TO-220C封装,核心特性围绕超大电流冲击耐受、高dv/dt指标与强……
🧑RSTTEK001
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09-01
一、概述VKS232是一个点阵式存储映射双模式的LCD驱动器,可支持 静态扫描点数最大116点(116SEGx1COM)的LCD屏,也可支 持动态扫描点数……
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09-01
NU502使用CMOS工艺,采用电流镜技术,主电流无需经过采样电阻,更低的输出压差,以及更小的体积的采样电阻。是NU501的互补产品,采用SOT23-6L……
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09-01
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08-31
瑞斯特(RST) RSTP1580GU是依托专属Super Trench超级沟槽工艺定向优化开发的N沟道增强型功率MOSFET,器件采用DFN5X6-8L……
🧑RSTTEK001
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08-31
瑞斯特(RST) RSTP60T15G是采用专属优化型Super Trench超级沟槽工艺开发的N沟道增强型功率MOSFET,器件采用DFN5X6-8L紧……
🧑RSTTEK001
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08-31
瑞斯特(RST)推出的RSTP40T11是依托专属优化Super Trench超级沟槽工艺开发的无铅N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220-3L经……
🧑RSTTEK001
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08-30
瑞斯特(RST) RSTB301Q是采用先进沟槽工艺开发的30V级半桥集成双N沟道增强型功率MOSFET,采用超小型DFN3×3-8L高密度封装,内部集成……
🧑RSTTEK001
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08-30
瑞斯特(RST)推出的RST7580是采用先进沟槽工艺开发的无铅N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220-3L直插封装,核心标定参数为漏源额定电压7……
🧑RSTTEK001
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08-30
瑞斯特(RST) RST6050是采用先进沟槽工艺开发的N沟道增强型功率MOSFET,器件采用TO-220-3L直插封装,属于无铅环保产品,全系列通过10……
🧑RSTTEK001
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08-29
瑞斯特(RST)推出的RST5055K是依托先进沟槽工艺开发的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252-2L无铅封装,核心标定参数为漏源额定电压50……
🧑RSTTEK001
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08-29
瑞斯特(RST) RST3415Y是依托先进沟槽工艺开发的P沟道增强型功率MOSFET,器件采用SOT-23-3L小型表贴封装,为无铅环保产品,整盘卷盘规……
🧑RSTTEK001
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08-29
瑞斯特(RST) RST3415E是依托先进沟槽工艺研制的P沟道增强型功率MOSFET,器件采用SOT-23小型表贴封装,属于无铅环保器件,整盘包装规格为……
🧑RSTTEK001
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