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02-25
罗姆 | 650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压 GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”……
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oneyac
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02-16
每月要闻 | 1月半导体行业都发生了哪些大事?
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oneyac
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02-15
650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装
GaN HEMT , ROHMROHM已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。全球……
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顶级男人66
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02-15
技术洞察 | SMPS应用中实现HV CoolGaN™最佳运行的实用指南
SMPS , 英飞凌消费电子高压(HV)氮化镓(GaN)晶体管的快速开关能力给PCB的布局带来了挑战。本文通过解释几个重要概念,帮助用户了解PCB的布局挑……
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顶级男人66
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02-15
英飞凌新一代CoolGaN™晶体管技术,可实现优异的效率和功率密度
CoolGaN , 英飞凌工业应用英飞凌于近日宣布不再支持第一代(G1)CoolGaN™技术用于新设计,此举曾引发外界对其硅基氮化镓(GiT)技术承诺的担……
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顶级男人66
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02-15
英飞凌推出PSOC™ Control MCU
MCU , 英飞凌消费电子英飞凌推出基于Arm® Cortex®-M33的最新高性能微控制器(MCU)系列PSOC™ Control。在ModusTool……
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顶级男人66
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02-15
英飞凌推出新型高性能微控制器AURIX™ TC4Dx
MCU , 英飞凌汽车电子英飞凌近日宣布推出最新AURIX™ TC4x系列的首款产品AURIX™ TC4Dx微控制器(MCU)。 Infineon New……
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顶级男人66
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02-15
新品 | 3300V,1200A IGBT4 IHV B模块
IGBT , 英飞凌知名的IHV B 3.3kV单开关IGBT模块经过了重大改进,以满足牵引和工业应用(如中压传动或HVDC)当前和未来的要求。 新品 ……
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顶级男人66
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02-15
Nexperia全新推出高精度和超低静态电流的汽车级LDO系列
Nexperia , 汽车级LDONexperia(安世半导体)近日新推出一系列符合AEC-Q100标准的超低静态电流通用低压差(LDO)稳压器。。。Ne……
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顶级男人66
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02-15
英飞凌再次荣膺2024年全球电子成就奖
英飞凌11月5日,英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能,荣获2024年全……
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顶级男人66
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02-15
英飞凌AURIX™ TC3x新增支持FreeRTOS
英飞凌汽车电子英飞的AURIX™ TC3x微控制器(MCU)系列新增了对FreeRTOS的支持。英飞凌AURIX™ TC3x新增支持FreeRTOS 英……
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顶级男人66
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02-14
晶体管、二极管等功率器件诸多优势 促进“光储充”水平提升
从功率器件来看,安世半导体在“光储充”系统解决方案中采用的业界领先产品,包括GaN HEMT高电子迁移率晶体管、SiC MOSFET、SiC二极管、IGB……
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富山哥哥
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02-14
碳化硅MOSFET结构及其特性
碳化硅MOSFET的结构 常见的平面型(Planar)碳化硅MOSFET的结构如图7所示。为了减小通道电阻,这种结构通常设计为很薄的门极氧化层,由此带来在……
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富山哥哥
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02-14
低导通电阻、高速切换 功率器件N沟道MOSFET产品
特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:木村 岳史,以下简称“特瑞仕”)开发了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N……
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富山哥哥
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02-14
泰科:全国最大“零碳”智慧变电站上线!
与常规变电站不同,这次的智慧变电站在设计环节就将把控碳排放置于非常关键的考量位置,在全寿命周期内预计减少碳排放约34000吨。洁净空气 GIS 等环保电气……
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富山哥哥
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01-21
英飞凌推出XENSIV™ PAS CO2 5V传感器,用于提高楼宇能效和空气
,英飞凌安全楼宇是全球能源消耗和碳排放的主体,为进一步推动低碳化,提高楼宇能效至关重要。我们需要创新的解决方案来优化能源消耗,同时确保健康的室内环境。楼宇……
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明天真的不熬夜了
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01-21
松下 | HE继电器PV型 90A触点间距增强型
Panasonic(松下)产品特点 产品号/型号:AHE5 5 X*N/HE1aN-W-DC**V-Y6 H 形状兼容:包括端子在内同现有90A型形状相同……
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明天真的不熬夜了
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01-20
功率器件的热设计基础(二)——热阻的串联和并联
/ 前言 / 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,……
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👦歪比巴卜
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01-20
功率器件热设计基础(一)——功率半导体的热阻
前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系……
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👦歪比巴卜
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01-19
第一电阻(Firstohm) | MELF色环贴片电阻专家
第一电阻电容器股份有限公司(Firstohm)成立于1969年,拥有包括芯片电阻在内多项电阻器的制造技术,专营生产制造薄膜电阻器。公司还自行成功研发并量产……
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明天真的不熬夜了
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01-19
威世 | vPolyTan™ 聚合物钽电容器Hi-Rel COTS系列,超低ESR
新型先进设备取代陈旧过时的系统促进了航空电子、国防和太空领域应用的快速增长。这些新系统设备专门满足下一代航空、国防和航天需求。如针对 MIL-STD-70……
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明天真的不熬夜了
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01-19
赛米控丹佛斯推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块
赛米控丹佛斯与罗姆在IGBT多源供应方面进一步加强合作。赛米控丹佛斯(总部位于德国纽伦堡)和全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市) 在开发SiC ……
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明天真的不熬夜了
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01-19
太阳诱电 | 产品:储能元件
本文将通过图文的形式为各位介绍太阳诱电储能元件产品阵容、特点&优势、基础信息等。储能元件的定位基于“功率密度”和“能量密度”这两个指标。在功率密度、安全性……
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明天真的不熬夜了
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01-19
太阳诱电 | 汽车用金属功率电感器MCOIL™ LCEN 系列实现商品化
太阳诱电 , 电感实现行业领先的直流重叠允许特性与直流低电阻,太阳诱电最新电感器,唯样元器件商城全线代理太阳诱电株式会社使支持车载用被动元件的可靠性认证测……
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明天真的不熬夜了
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01-19
MiniLED 封装高亮度小型蓝色和纯绿色 LED
威世Vishay 推出采用超小型 MiniLED 封装的新型蓝色和纯绿色表面贴装 LED。。。SMD 器件发光强度达 2300 mcd 波长分别为 525……
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明天真的不熬夜了
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01-19
英飞凌AURIX™ TC3x新增支持FreeRTOS
MCU , 英飞凌汽车电子英飞的AURIX™ TC3x微控制器(MCU)系列新增了对FreeRTOS的支持。英飞凌AURIX™ TC3x新增支持Free……
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顶级男人66
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01-19
罗姆功率半导体产品概要
罗姆功率半导体产品概要 ROHM(罗姆) 订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等,已有7人订阅 +订阅 2025-01-16 09:47:07 11……
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顶级男人66
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01-19
英飞凌荣获年度功率器件-GaN行业优秀奖
GaN行业优秀奖 , 英飞凌近日,由世纪电源网主办的“第三届电源行业配套品牌颁奖晚会”在深圳隆重举办。近日,由世纪电源网主办的“第三届电源行业配套品牌颁奖……
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顶级男人66
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01-19
英飞凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再获殊荣,荣获极光奖两项大奖
极光奖 , 英飞凌英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件再度赢得行业殊荣,荣获2024年度极光奖“年度影响力产品”奖项。英飞凌的……
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顶级男人66
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01-19
GaN还是SiC,电气工程师该如何选择?
GaN , SiC , 英飞凌工业应用氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特……
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顶级男人66
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